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AMAT 0090-76110 VME PCB半导体设备

品牌：AMAT

型号：0090-76110

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产品详情

AMAT 0090-76110是一款由Applied Materials公司生产的半导体设备，具体是一款等离子体增强化学气相沉积（PECVD）反应器。这种设备主要用于在半导体制造过程中沉积薄膜，如氮化硅（Si3N4）和氮化钛（TiN）。

以下是关于AMAT 0090-76110的详细介绍：

工作原理：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种在半导体表面沉积薄膜的技术。在AMAT 0090-76110中，反应气体（如硅烷、氨气和钛酸四甲酯）在射频电场的作用下被激发为等离子体。这些等离子体与衬底表面的原子相互作用，通过化学反应在衬底表面沉积薄膜。通过控制反应条件，如气体流量、射频功率和反应温度，可以精确控制沉积薄膜的成分、结构和性质。
特点和应用：AMAT 0090-76110具有高沉积速率、高薄膜质量、低缺陷密度和低生产成本等特点。这些特点使得它成为半导体制造中沉积氮化硅和氮化钛薄膜的首选设备。氮化硅薄膜可用于制造集成电路中的绝缘层和保护层，而氮化钛薄膜可用于制造金属电极和连接线。此外，AMAT 0090-76110还可用于研究和开发新的半导体材料和器件。
技术规格：AMAT 0090-76110的反应腔尺寸为6英寸，能够同时处理多个衬底片。其射频功率源为13.56 MHz，射频功率范围为50至300 W。该设备还具有自动化的气体系统和先进的控制系统，以实现精确的过程控制和优化。
用户反馈：许多半导体制造公司和科研机构使用AMAT 0090-76110来生产高质量的氮化硅和氮化钛薄膜。用户反馈表明，该设备具有高可靠性、高生产效率和良好的薄膜质量。此外，AMAT的技术支持和服务也备受好评，为用户提供了全方位的技术支持和服务。

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